Agilent Technologies B2201A Servisní příručka Strana 103

  • Stažení
  • Přidat do mých příruček
  • Tisk
  • Strana
    / 124
  • Tabulka s obsahem
  • KNIHY
  • Hodnocené. / 5. Na základě hodnocení zákazníků
Zobrazit stránku 102
Module 13
SPGU Control and Applications
13-17
p
n+
n+
Source
Drain
Gate
Substrate
Icp
SMU
SMU
PGU
or
Oxide
A
A
Charge Pumping
Charge pumping is a type of hot carrier measurement. It provides direct measurement of interface
states and an indication of electron and hole trapping.
The gate of the MOS transistor is connected to a pulse generator. The current (Icp) is caused by the
repetitive recombination of minority carriers with majority carriers at the silicon-silicon oxide
interface.
Zobrazit stránku 102
1 2 ... 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 ... 123 124

Komentáře k této Příručce

Žádné komentáře